2023年初氮化鎵項目情況

摘要：

3月6日遼寧百思特達半導體旗下氮化鎵項目獲得新進展——2吋&4吋外延片處于試生產和產品認證階段，正式投產后，可實現月生產2500片的產能。

3月6日博康半導體氮化鎵射頻功率芯片先導線項目正式開工，總投資約6億元。

2月16日東科半導體表示旗下總投資5.5億元的“超高頻氮化鎵電源管理芯片項目”已竣工，正在進行廠房裝修和生產線調試，預計4月底投產。主要從事氮化鎵超高頻AC/DC 電源管理芯片、氮化鎵應用模組封裝線的研發、生產和銷售。

1月11日仙羋智造新型智能功率模組(IPM)研發生產基地項目正式開工。該項目總投資5億元，建成后可實現年產3000萬顆工業級IPM產品、1000萬顆汽車級IPM產品、1000萬顆氮化鎵芯片封裝產能，預計全部投產后年銷售收入可達12億元。

1月10日中鐵建工集團旗下“中國電科射頻集成電路產業化項目”已經建成完工，該項目總投資超過30億元，建成后將形成年均5億只射頻集成電路，6萬片4～6英寸氮化鎵射頻功率器件，1000萬只射頻模塊的設計、生產、測試能力。

1月5日江西省上饒市萬年縣人民政府與上海格晶半導體就氮化鎵第三代半導體產業化項目進行了簽約。該項目總投資達25億元，項目投產后可實現年產5萬片8吋GaN功率器件，成為江西省第一家，中國第二家量產氮化鎵車載功率器件的晶圓廠。

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1.這個GaN項目開始試產，年產能3萬片

2.總投資約6億元，博康嘉興氮化鎵射頻功率芯片先導線項目開工

3.第三代半導體、芯片、封測等項目迎來新進展