蘇州納維科技有限公司

概要：蘇州納維創辦以來，在江蘇省重大成果轉化項目、蘇州市各級人才項目支持下，經過10年攻關完成了從材料生長設備的自主研發到GaN單晶襯底生長制備的完整工藝開發，達到世界先進水平，期間相繼得到科技部863項目和國家發改委產業化示范項目的支持；

企業信息：

企業名稱：蘇州納維科技有限公司

統一社會信用代碼：913205946617787769

網址：http://www.nanowin.com.cn/

注冊資本：5,679.2887萬(元)

成立日期：2007-05-25

所屬省市：江蘇省蘇州市

主營：公司產品為產品有GaN單晶襯底，有2英寸、4英寸和6英寸GaN單晶襯底；

產品關鍵詞：4英寸自支撐氮化鎵晶片（非摻），4英寸自支撐氮化鎵晶片（鐵摻），2英寸自支撐氮化鎵晶片（非摻），2英寸自支撐氮化鎵晶片（硅摻），2英寸自支撐氮化鎵晶片（鐵摻），10*10.5mm2自支撐氮化鎵晶片（非摻），10*10.5mm2自支撐氮化鎵晶片（硅摻），10*10.5mm2自支撐氮化鎵晶片（鐵摻），5*10mm2半極性氮化鎵自支撐襯底Semi-palar-(20-2-1)plane(UID/N/SI)，6英寸氮化鎵厚膜晶片（非摻），6英寸氮化鎵厚膜晶片（硅摻），6英寸氮化鎵厚膜晶片（鎂摻），4英寸氮化鎵厚膜晶片（非摻），4英寸氮化鎵厚膜晶片（硅摻），4英寸氮化鎵厚膜晶片（鎂摻），2英寸氮化鎵厚膜晶片（非摻），2英寸氮化鎵厚膜晶片（硅摻），2英寸氮化鎵厚膜晶片（鎂摻）；

產品成分關鍵詞：氮化鎵

注：以下內容信息來源：http://www.nanowin.com.cn/

公司介紹：

蘇州納維創辦以來，在江蘇省重大成果轉化項目、蘇州市各級人才項目支持下，經過10年攻關完成了從材料生長設備的自主研發到GaN單晶襯底生長制備的完整工藝開發，2英寸GaN單晶襯底的位錯密度降低到10?cm2，達到世界先進水平，期間相繼得到科技部863項目和國家發改委產業化示范項目的支持；近兩年完成了4英寸和6英寸GaN單晶襯底的關鍵技術研發。目前GaN單晶襯底產品已經提供給500余家客戶使用，基本完成了對研發市場的占領，正在提升產能向企業應用市場發展，重點突破方向是藍綠光半導體激光器、高功率電力電子器件、高可靠性高功率微波器件等重大領域。申報相關核心專利近百余項，在各類重要國際學術會議和產業論壇上做邀請報告百余次，蘇州納維受到產業界和國際同行的廣泛關注。

產品圖譜：

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