企業信息：
企業名稱：蘇州璋馳光電科技有限公司
統一社會信用代碼：91320583MA2562YK3H
注冊資本：1,166.625萬(元)
成立日期：2021-02-03
所屬省市：江蘇省蘇州市
主營：公司產品為產品有光電材料、元器件、制備工藝、設備等；
產品關鍵詞：鈷鋁酸鎂尖晶石，ER玻璃，Cr：YAG晶體，Nd：Ce：YAG晶體，Nd：YLF晶體-摻釹氟化鋰釔，α-BBO晶體，BBO晶體-β相偏硼酸鋇，LBO（三硼酸鋰）晶體材料，鍵合晶體，尖晶石，半倍氧化物透明陶瓷，高熱導氮化鋁，高性能氧化鋁，透明陶瓷，第四代半導體，Yb：CaF2晶體，透明陶瓷襯底材料，真空熱壓爐，六溫區管式爐，三溫區管式爐，真空燒結爐，真空氣氛退火爐，碳化硅爐膛箱式爐，箱式爐，晶體生長爐，5G襯底陶瓷，5G射頻透明陶瓷，電子煙用霧化器元件；
產品成分關鍵詞：氧化鋁，尖晶石，氮化鋁
注：以下內容信息來源：http://www.jochoptech.com/
公司介紹：
璋馳光電是領先的激光、光電子材料與元器件制造商。聚焦光電材料、工藝及設備，提供先進光電材料整體技術解決方案， 致力成為先進光電材料的技術策源地和品牌領導者。依靠多年技術積淀，兼顧業內頂尖的產品性能、可量產的設計以及出眾的可靠性，成功打造出具有核心技術與專利權的終端產品，始終引領激光材料與元器件創新的發展方向。
璋馳光電已經在全球范圍內布局專利，客戶遍布知名激光雷達廠商以及眾多高科技企業。
產品圖譜：
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]]>企業信息：
企業名稱：蘇州納維科技有限公司
統一社會信用代碼：913205946617787769
注冊資本：5,679.2887萬(元)
成立日期：2007-05-25
所屬省市：江蘇省蘇州市
主營：公司產品為產品有GaN單晶襯底，有2英寸、4英寸和6英寸GaN單晶襯底；
產品關鍵詞：4英寸自支撐氮化鎵晶片（非摻），4英寸自支撐氮化鎵晶片（鐵摻），2英寸自支撐氮化鎵晶片（非摻），2英寸自支撐氮化鎵晶片（硅摻），2英寸自支撐氮化鎵晶片（鐵摻），10*10.5mm2自支撐氮化鎵晶片（非摻），10*10.5mm2自支撐氮化鎵晶片（硅摻），10*10.5mm2自支撐氮化鎵晶片（鐵摻），5*10mm2半極性氮化鎵自支撐襯底Semi-palar-(20-2-1)plane(UID/N/SI)，6英寸氮化鎵厚膜晶片（非摻），6英寸氮化鎵厚膜晶片（硅摻），6英寸氮化鎵厚膜晶片（鎂摻），4英寸氮化鎵厚膜晶片（非摻），4英寸氮化鎵厚膜晶片（硅摻），4英寸氮化鎵厚膜晶片（鎂摻），2英寸氮化鎵厚膜晶片（非摻），2英寸氮化鎵厚膜晶片（硅摻），2英寸氮化鎵厚膜晶片（鎂摻）；
產品成分關鍵詞：氮化鎵
注：以下內容信息來源：http://www.nanowin.com.cn/
公司介紹：
蘇州納維創辦以來，在江蘇省重大成果轉化項目、蘇州市各級人才項目支持下，經過10年攻關完成了從材料生長設備的自主研發到GaN單晶襯底生長制備的完整工藝開發，2英寸GaN單晶襯底的位錯密度降低到10?cm2，達到世界先進水平，期間相繼得到科技部863項目和國家發改委產業化示范項目的支持；近兩年完成了4英寸和6英寸GaN單晶襯底的關鍵技術研發。目前GaN單晶襯底產品已經提供給500余家客戶使用，基本完成了對研發市場的占領，正在提升產能向企業應用市場發展，重點突破方向是藍綠光半導體激光器、高功率電力電子器件、高可靠性高功率微波器件等重大領域。申報相關核心專利近百余項，在各類重要國際學術會議和產業論壇上做邀請報告百余次，蘇州納維受到產業界和國際同行的廣泛關注。
產品圖譜：
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]]>企業信息：
企業名稱：哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司
統一社會信用代碼：91230103MA1B409837
網址：https://www.ky-semiconductor.com/
注冊資本：736.842萬(元)
成立日期：2018-05-10
所屬省市：黑龍江省哈爾濱市
主營：科技研發、裝備制造、材料生產。
產品關鍵詞：碳化硅襯底,氮化鋁襯底
產品成分關鍵詞：碳化硅,氮化鋁
注：以下內容信息來源：https://www.ky-semiconductor.com/
公司介紹：
哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司（簡稱：科友半導體）于2018年5月成立，是一家國家級高新技術企業，專注于半導體裝備研發、襯底制造、器件設計、技術轉移和科研成果轉化。科友半導體立足于哈爾濱，打造科技研發、裝備制造、材料生產的產學研一體化園區、推動國內第三代半導體材料和產業水平快速發展。
哈爾濱（總部）：裝備和材料制造
科友第三代半導體產學研聚集區坐落于哈爾濱新區，總占地面積4.5萬平方米，打造產、學、研一體化的半導體產業園區。下設技術研發中心、碳化硅襯底制備中心、氮化鋁襯底制備中心、高端裝備中心、國家交流中心、檢測檢驗中心、產品展示及國際會議中心。以哈爾濱為總部，打造國家級第三代半導體裝備與材料創新中心，通過國際合作、創新引智，改善產業結構發展半導體核心材料產業，目標是占有國內第三代半導體襯底材料20%以上的市場份額，積極開拓國際市場，成為知名的第三代半導體關鍵材料供應商之一。
產品圖譜：
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概要：是一家以新材料、新能源、節能環保為主導的混合所有制上市企業（股票代碼：300080，股票簡稱：易成新能），第一大股東中國平煤神馬集團持股比例為46.98%，實際控制人為河南省國資委。
企業信息：
企業名稱：河南易成新能源股份有限公司
統一社會信用代碼：914102002681294387
注冊資本：217,614.9426萬(元)
成立日期：1997-11-04
所屬省市：河南省開封市
主營：超高功率石墨電極及接頭，PERC高效單晶硅電池，鋰離子電池負極材料。
產品關鍵詞：鋰離子電池碳負極，高效單晶硅電池
產品成分關鍵詞：硅，石墨
注：以下內容信息來源：http://www.ycne.com.cn
公司介紹：
河南易成新能源股份有限公司總部位于河南省開封市精細化工產業園區，注冊資本20.81億元，是一家以新材料、新能源、節能環保為主導的混合所有制上市企業（股票代碼：300080，股票簡稱：易成新能），第一大股東中國平煤神馬集團持股比例為46.98%，實際控制人為河南省國資委。
公司擁有全套生產超高功率石墨電極及接頭的成熟生產工藝技術和裝備，世界技術先進的PERC高效單晶硅電池生產線。大規格超高功率石墨電極、PERC高效單晶硅電池、鋰離子電池負極材料產能位居國內前列；節能環保產業已經初具規模；在河南、新疆、內蒙古等地建設投運多個光伏電站。
公司將借助國家發展戰略新興產業的東風，重點走“以資本為紐帶的產業經營”之路，以功能性炭材料為核心的新材料板塊、以高效單晶硅電池為核心的新能源板塊，以污水和工業固廢處理為核心的節能環保板塊協同發展。力爭實現在“新材料、新能源、節能環保”三大產業領域的有效擴張，打造成為國內具有核心競爭力的投資控股型產業集團。
PERC單晶硅電池片
PERC單晶硅電池片的轉換效率達到22.7%以上，優于國家光伏“超跑者”計劃能效標準。主要用途：作為目前光伏發電中轉換效率較高的產品，廣泛應用于交通、通訊、石油、海洋、氣象、光伏電站、太陽能建筑等領域，是傳統能源的有效替代產品。
負極材料
負極材料主要用于動力、儲能、數碼等各種鋰離子電池領域。
倍率型碳負極
產品特點：長壽命、滿足不同倍率放電需求、安全性好，產品應用：對放電有倍率要求的鋰電子電池；
快充型碳負極
產品特點：長壽命、可實現5C快速充電、安全性好
產品應用：要求快速充電的鋰電子電池
容量型碳負極
產品特點：容量高、效率高、循環壽命長
產品應用：對容量有要求的數碼動力或儲能電池
產品圖譜：
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]]>概要：是一家專注于碳化硅單晶襯底材料研發、生產和銷售的科技型企業。天岳先進自主掌握了從粉料合成到晶體生長、加工的完整全工藝過程。
企業名稱：山東天岳先進科技股份有限公司
統一社會信用代碼：9137010056077790XN
注冊資本：42,971.1044萬(元)
成立日期：2010-11-02
所屬省市：山東省濟南市
主營：碳化硅單晶襯底材料，第三代半導體材料。
產品關鍵詞：碳化硅單晶襯底材料，4H-導電型碳化硅單晶襯底，4H-半絕緣型碳化硅單晶襯底
產品成分關鍵詞：碳化硅
注：以下內容信息來源：http://www.sicc.cc/
公司介紹：
山東天岳先進科技股份有限公司成立于2010年11月，是一家專注于碳化硅單晶襯底材料研發、生產和銷售的科技型企業。公司秉承“先進·品質·持續”的經營理念，以滿足客戶需求、幫助客戶解決問題為導向，重視產品品質和服務品質，自主掌握工藝技術，積極拓展市場，追求業務可持續發展。
碳化硅單晶襯底材料是一種寬禁帶半導體材料，和傳統材料相比具有更加優異的物理性能，可以有效提升下游器件的功率密度和整體性能，在電力電子以及微波電子領域有著廣泛的應用前景。但優越的物理性能背后是精密且復雜的制備工藝，碳化硅單晶的生長需要在高溫低壓密閉環境下進行，且微小的環境變化都會引起晶格錯亂從而影響襯底材料的品質。
公司依托卓越的研發團隊和多年積累的產業化經驗，重視技術引領、品質提升，長期堅持創新，以打造一體化解決方案為核心，完善服務、完善產品，力爭成為國際著名的半導體材料公司。
襯底電學性能決定了下游芯片功能與性能的優劣，為使材料能滿足不同芯片的功能要求，需要制備電學性能不同的碳化硅襯底。按照電學性能的不同，碳化硅襯底可分為高電阻率的半絕緣型碳化硅襯底，和低電阻率的導電型碳化硅襯底。碳化硅單晶在自然界極其稀有，幾乎不存在。只能依靠人工合成制備。目前工業生產碳化硅襯底材料以物理氣相升華法為主，這種方法需要在高溫真空環境下將粉料升華，然后通過溫場的控制讓升華后的組分在籽晶表面生長從而獲得碳化硅晶體。整個過程在密閉空間內完成，有效的監控手段少，且變量多，對于工藝控制精度要求極高。
天岳先進自主掌握了從粉料合成到晶體生長、加工的完整全工藝過程。物理氣相升華法（簡稱PVT）對原料進行加熱，通過氣相升華和溫場控制使升華的組分在籽晶表面再結晶。
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]]>企業名稱：河北同光半導體股份有限公司
注冊資本：36,105.1551萬(元)
統一社會信用代碼：91130605596834603J
成立日期：2012年05月28日
所屬省市：河北省保定市
主營：主要從事第三代半導體材料碳化硅襯底的研發和生產。
產品關鍵詞：4英寸和6英寸導電型,半絕緣碳化硅襯底
產品成分關鍵詞：碳化硅
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注：以下內容信息來源：http://www.synlight.cn/
?公司介紹：
河北同光半導體股份有限公司成立于2012年，位于保定市高新技術開發區，主要從事第三代半導體材料碳化硅襯底的研發和生產。公司主要產品包括4英寸和6英寸導電型、半絕緣碳化硅襯底，其中4英寸襯底已達到世界先進水平。目前，公司已建成完整的碳化硅襯底生產線，是國內著名的碳化硅襯底生產企業。
公司自建立以來，成立了“院士工作站”、“SiC單晶材料與應用研究聯合實驗室”，設立了“中國科學院半導體研究成果轉化基地”，作為“高層次創新團隊”得到河北省人民政府表彰；同時承擔了多項國家科研項目，同光作為主承擔單位主持的國家863計劃“大功率GaN電子器件用大尺寸SiC襯底制備及外延技術研究”課題已經通過驗收；2016年同光又承擔了國家重點研發計劃“戰略性先進電子材料”重點專項“中低壓SiC材料、器件及其在電動汽車充電設備中的應用示范”課題。2017年10月，同光聯合清華大學、北京大學寬禁帶半導體研究中心、中國科學院半導體研究所、河北大學共同搭建了“第三代半導體材料檢測平臺”，推動了國內第三代半導體產業的發展。
產品圖譜：
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