江西譽鴻錦材料公司總投資116億元在西安建氮化鎵IDM項目

摘要：

12月11日，西咸新區涇河新城官微發布消息稱，他們已經與江西譽鴻錦材料科技有限公司簽訂了戰略合作框架協議。報道稱，該項目將建立第三代化合物半導體研發中心，開展氮化鎵基半導體核心技術攻關、新品研發等工作。項目達產后，可實現年產值500億元，實現年上繳稅收約25億元。他們規劃氮化鎵產能2萬片/月，芯片產能2億顆/月。
據了解，該項目建設單位是江西譽鴻錦材料科技有限公司，成立于2021年1月，專注于GaN電子器件研發，并掌握了氮化鎵外延、器件制備和封裝等領域的核心技術。值得注意的是，譽鴻錦材料的子公司江西譽鴻錦芯片主要從事高品質GaN電子材料和高端光電材料的MOCVD外延生長及器件、模組的研發和生產制造。

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1.?116億！國內新增氮化鎵IDM項目