目前市面上主要采用金剛石對氮化硅陶瓷材料進行加工,不僅加工效率和精度低、成本高,而且難以加工復雜的微型化零部件。如此一來,尋找一種更為合適的加工方式對于氮化硅陶瓷的發展確實具有重要的意義。比如說近年來就有一種很被看好的新型加工方式——“放電加工”。這是一種利用電能轉換成工件熱能,使工件急速融熔的一種熱性加工方法,其加工過程可無視材料的強度、硬度、脆性等力學性能,因此是導電難加工材料的理想工藝選擇。
針對氮化硅基陶瓷導電性差,難以加工的特點,目前主要通過添加合適的導電材料來降低其電阻率,使之可用于放電加工,解決加工困難的問題。據研究表明,TiC顆粒、TiC晶須和TiN顆粒都可提高材料的力學性能和導電性,但TiN顆粒在提高材料力學性能和導電性方面所起作用有限。而TiC顆粒和TiC晶須在提高材料力學性能和導電性方面所起作用明顯,且在添加量為30vol%時,所制備的Si3N4-TiC(顆粒)和Si3N4-TiC(晶須)復合陶瓷刀具材料具有優良的力學性能和導電性。
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