半導體設備廠進入碳化硅襯底賽道

摘要：

上機數控“轉戰”材料成功試制6吋SiC

11月6日，上機數控發布消息稱，他們成功試制出6英寸碳化硅襯底，有效厚度達到20毫米，經加工后襯底片的微管、位錯等各項指標均達國內領先水平。據了解，今年3月上機數控就成立全資子公司弘元半導體，專攻第三代半導體領域，并已主導了一個碳化硅襯底項目。

晶盛機電:募資31億建襯底項目，8吋SiC出爐

晶盛機電成立于2006年，是國內領先的半導體材料裝備企業。2017年，他們開始布局碳化硅業務，2020年建立了SiC長晶和加工中試線。去年10月，晶盛機電宣布募資31億元，用于建設6英寸碳化硅襯底項目。8月，晶盛機電首顆8英寸N型SiC晶體出爐。晶盛機電的8英寸SiC晶體的晶坯厚度為25mm，直徑214mm。

GTAT：由生產藍寶石設備→生產碳化硅襯底

GTAT原名GT Solar，成立于1994年，曾是一家壟斷光伏和藍寶石的設備供應商。該公司破產后進入SiC賽道，于2013年推出4英寸的SiC長晶爐，主要使用升華法。2017年，GTAT正式宣布開發出CrystX? SiC晶體。2018年6月，GTAT舉行了SiC襯底工廠剪彩儀式，并宣布量產。最終，GTAT在去年8月被安森美以27億人民幣收購，以推進6英寸和8英寸SiC晶體生長技術。今年8月，安森美擴建的GTAT Hudson（哈德遜）的碳化硅工廠開業，碳化硅襯底產能將擴充4倍。

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