晶盛機電舉行總投資21.2億“年產25萬片6英寸、5萬片8英寸碳化硅襯底片項目”簽約暨啟動儀式

摘要：

11月4日，晶盛機電舉行“年產25萬片6英寸、5萬片8英寸碳化硅襯底片項目”簽約暨啟動儀式，旨在加快半導體材料端的關鍵核心技術攻關，實現國產化替代，這一舉措標志著晶盛機電在半導體材料領域的技術實力和市場競爭力將進一步提升。

在雙碳背景下，國家大力發展第三代半導體材料，晶盛機電積極響應國家戰略需求，在“打造半導體材料裝備領先企業，發展綠色智能高科技制造產業”的使命引領下，堅持“強鏈、補鏈”為半導體產業鏈自主可控貢獻力量，持續推動“先進材料、先進裝備”戰略的深入實施。碳化硅襯底片作為半導體材料的重要組成部分，具有優異的性能和廣闊的應用前景。公司自2017年開始碳化硅晶體生長設備和工藝的研發，相繼成功開發6英寸、8英寸碳化硅晶體和襯底片，是國內為數不多能供應8英寸襯底片的企業。目前，公司已建設了6-8 英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光中試線，6英寸襯底片已通過多家下游企業驗證，正處于快速上量階段，8英寸襯底片處于小批量試制階段。

此次簽約項目總投資21.2億元，建成后，晶盛機電將利用自身的技術和資源優勢，加快碳化硅襯底片的關鍵核心技術攻關和產業化，加速推進第三代半導體材料國產化進程。作為國內領先的半導體材料裝備企業，晶盛機電始終圍繞“先進材料、先進裝備”的雙引擎可持續發展戰略，深化半導體產業鏈的上下游協同合作，向下游晶體材料深加工延伸，通過技術創新、產業升級，聚力解決國家核心材料自主供給，保障國家戰略安全，為我國半導體材料產業的發展注入新的活力。

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