第三代半導體介紹

視頻：三代半導體材料介紹

半導體材料目前已經發展至第三代。傳統硅基半導體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律，逐漸不適應于半導體行業的發展需求，砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半導體也因而誕生。

從技術來看，半導體材料目前已發展了三代:

1) 第一代半導體材料以傳統的硅（Si）和鍺（Ge）為代表，是集成電路制造的基 礎，廣泛應用于低壓、低頻、低功率的晶體管和探測器中，90%以上的半導體產品 是用硅基材料制作的；

2) 第二代半導體材料以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）和磷化鎵（GaP）為代表， 相對硅基器件具有高頻、高速的光電性能，廣泛應用于光電子和微電子領域；

3) 第三代半導體材料以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石（C）、氮化鋁（AlN）等新興材料為代表。

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