浙江大和半導體產業園三期項目（高純硅、氧化鋁、碳化硅）封頂

摘要：

今年3月，浙江大和半導體產業園三期項目正式啟動，同年7月，浙江大和半導體產業園三期項目開工奠基。11月30日，浙江大和半導體產業園三期項目封頂。該項目計劃總投資約20億元，由浙江盾源聚芯半導體科技有限公司高純硅部件項目、浙江富樂德半導體材料科技有限公司氧化鋁項目、浙江富樂德半導體材料科技有限公司CVD-SIC項目等三個子項目組成。

據了解，該項目計劃明年5月竣工，全面投產后，第三期產業園將實現每年15億元以上的生產規模，一、二、三期半導體產業園年產值將超50億元。

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1.計劃總投資約20億元，浙江大和半導體產業園三期項目封頂