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    日本礙子NGK宣布決定提高功率半導體模塊用絕緣散熱氮化硅陶瓷電路板的產能

    分類:新能源 氮化物 電子 行業資訊 159 0

    摘要:

    2024年3月7日,日本礙子株式會社(NGK INSULATORS, LTD. )宣布決定提高功率半導體模塊用絕緣散熱電路板的產能,到 2026 財年,將月產能提高到目前水平的約 2.5 倍。通過提高供應能力,NGK將穩步抓住未來預計將擴大的汽車應用需求,并力爭在2030財年實現銷售額200億日元。

    NGK采用氮化硅陶瓷基板制造絕緣散熱電路板,目前由其子公司 NGK Ceramic Devices(愛知縣小牧市)負責氮化硅陶瓷基板的粘合覆銅等前工序,蝕刻、電鍍等后工序在其子公司NGK ELECTRONICS DEVICES的山口工廠(山口縣美禰市)和馬來西亞子公司NGK ELECTRONICS DEVICES (M)SDN.BHD.位于檳城的工廠完成。此次投資,NGK預計投資約50億日元,加強NGK Ceramic Devices和馬來西亞工廠的設施,預計將在 2026 財年將月產能從目前的約 10 萬片增加到約 25 萬片。此外,NGK還考慮在歐洲建立生產基地,以加強對歐洲這一主要市場的供應體系,為未來需求的進一步增長做好準備。

    絕緣散熱電路板是用于電機驅動控制和發電機進行功率轉換的功率半導體元件(功率半導體模塊)中使用的產品。它通過散發功率半導體驅動時產生的熱量來確保穩定運行。氮化硅絕緣散熱電路板在碳化硅 (SiC)功率半導體中的使用正在增加,用于控制電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)電機的逆變器,在大功率的高溫環境下需要穩定運行。

    NGK開發的氮化硅絕緣散熱電路板是由一塊氮化硅陶瓷基板和兩塊銅板組成的襯板,采用獨特的鍵合技術,陶瓷基板與銅板之間的結合層具有僅為數微米或更小的超薄結構,這大大降低了粘合層熱阻和內部變形的影響,實現了高可靠性和優異的散熱特性。作為最大限度地發揮功率半導體性能的產品,自2019年以來,它已被歐洲和日本的多家功率半導體制造商采用。隨著全球電動汽車的進步,車載應用的需求不斷增加,預計中長期市場將進一步擴大。

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