希科半導體科技（蘇州）召開6英寸碳化硅（SiC）外延片投產新聞發布

摘要：

中國蘇州，2022年11月23日——希科半導體科技（蘇州）有限公司于蘇州納米科技城召開碳化硅（SiC）外延片投產新聞發布會。會上公司創始人、總經理呂立平宣布，公司采用國產CVD設備和國產襯底生產的6英寸SiC外延片，已于近期通過兩大權威機構的雙重檢測，性能指標完全媲美國際大廠，為我國碳化硅行業創下了一個毫無爭議的新紀錄。 呂立平總經理介紹，在過去的一年里，希科半導體從國產水平外延爐調試成功，到完成國產量測設備調試、并實現與進口量測設備的對標校準，填補了行業空白；近日公司又進一步完成了國產垂直外延爐調試，并完成了國產襯底原料與進口襯底同等外延工藝下的對比測試。至此，希科半導體實現了工藝設備、量測設備、關鍵原料的三位一體國產化，完全、干凈、徹底的解決了國外產品的卡脖子問題。這一系列成果填補了我國碳化硅行業的空白。

所謂SiC外延片，是指在碳化硅襯底上生長一層更高晶格品質的單晶薄膜（外延層），在實際應用中一個個碳化硅芯片都是采用光刻、掩膜、摻雜等半導體制程工藝在這個外延層上得以實現，而碳化硅晶片本身是作為襯底實現支撐作用。

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1.國產之光希科半導體：引領SiC外延片量產新時代