山東省第三代半導體產業發展“十四五”規劃

摘要：

第一代半導體材料，發明并實用于20世紀50年代，以硅（Si）、鍺（Ge）為代表，特別是硅，構成了一切邏輯器件的基礎。我們的CPU、GPU的算力，都離不開硅的功勞。第二代半導體材料，發明并實用于20世紀80年代，主要是指化合物半導體材料，以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表。其中砷化鎵在射頻功放器件中扮演重要角色，磷化銦在光通信器件中應用廣泛。而第三代半導體，發明并實用于本世紀初年，涌現出了碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石（C）、氮化鋁（AlN）等具有寬禁帶（Eg＞2.3eV）特性的新興半導體材料，因此也被成為寬禁帶半導體材料。

第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。是支撐新一代移動通信、新能源汽車、高速軌道列車、能源互聯網等產業自主創新發展和轉型升級的重點核心材料和電子元器件，具有廣闊的應用前景，已經成為全球半導體產業新的戰略競爭高地。

《規劃》規劃共分發展現狀、總體要求、產業布局、重點任務、保障措施五大部分，目標是到2025年，山東省第三代半導體產業鏈鏈條完善，關鍵核心技術自主可控，保持第三代半導體關鍵材料市場領先地位。打造百億級國家第三代半導體產業高地。經過多年發展，山東省第三代半導體產業形成了一定的產業基礎，極具發展潛力，目前擁有第三代半導體企業20余家。山東在第三代半導體領域已經逐步形成了襯底材料、外延材料、芯片設計、器件制造與封測等較為完整的產業鏈，“碳化硅襯底第一股”山東天岳是我國最大的SiC單晶材料供應商，主要產品包括半絕緣型和導電型碳化硅襯底。浪潮華光在外延材料生長、芯片制備及器件封裝具有完備的產業基礎，為山東省發展第三代半導體產業奠定了堅實基礎。隨著濟南比亞迪半導體有限公司、芯恩（青島）集成電路有限公司、青島惠科微電子有限公司、淄博美林電子有限公司的功率半導體芯片器件產線的建設和投產，將對第三代半導體材料的需求形成新的牽引。

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