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    國內相關企業在8英寸SiC襯底上的進度匯總

    分類:半導體 碳化物 行業資訊 239 0

    摘要:

    近年來,下游需求帶動下,SiC襯底正在從6英寸開始向8英寸推進,更大的襯底尺寸,意味著單片SiC晶圓能夠制造出的芯片數量更多,晶圓邊緣浪費減少,單芯片成本降低。2022年3月份,爍科率先對外發布“8英寸N型SiC拋光片的小批量生產”以來,已有多家國內企業對外發布了8英寸產品。參照目前國內相關企業在8英寸SiC襯底上的進度,與國際領先水平的差距進一步拉近。相較于6英寸襯底量產的7年時間差,如果進度理想的話,8英寸SiC襯底量產時間與海外龍頭的差距可能會縮短至3年。

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    1.央視報道·碳化硅 | 液相法長晶、8英寸襯底量產或將成為碳化硅產業“熱點詞”

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