摘要:
近年來,下游需求帶動下,SiC襯底正在從6英寸開始向8英寸推進,更大的襯底尺寸,意味著單片SiC晶圓能夠制造出的芯片數量更多,晶圓邊緣浪費減少,單芯片成本降低。2022年3月份,爍科率先對外發布“8英寸N型SiC拋光片的小批量生產”以來,已有多家國內企業對外發布了8英寸產品。參照目前國內相關企業在8英寸SiC襯底上的進度,與國際領先水平的差距進一步拉近。相較于6英寸襯底量產的7年時間差,如果進度理想的話,8英寸SiC襯底量產時間與海外龍頭的差距可能會縮短至3年。
查看更多請點擊以下來源鏈接。
信息來源:
(以上信息來源或部分來源于以下文獻或網絡鏈接,若有侵權請及時告知以便刪除)
1.央視報道·碳化硅 | 液相法長晶、8英寸襯底量產或將成為碳化硅產業“熱點詞”
上一篇: 資訊導航
下一篇: 全球50家化工新材料巨頭最新業績報告!
您好!請登錄