哈爾濱科友半導體公司通過自主設計制造的電阻長晶爐產出直徑超過8寸的碳化硅單晶

摘要：

在科友第三代半導體產學研聚集區緊張投產過程中，科友半導體試驗線再傳捷報，科友半導體通過自主設計制造的電阻長晶爐產出直徑超過8吋的碳化硅單晶，晶體表面光滑無缺陷，最大直徑超過204mm。這是科友半導體于今年十月在六吋碳化硅晶體厚度上實現40mm突破后，在碳化硅晶體生長尺寸上取得的又一次極具歷史意義的重大突破。

國際上8吋碳化硅單晶襯底研制成功已有報道，但迄今尚未有產品投放市場。8吋碳化硅長晶工藝的突破，意味著科友半導體在單晶制備技術水平上達到了一個新的高度，提高企業市場競爭力，具有極其深遠的意義。科友半導體自成立伊始，就瞄準碳化硅襯底行業痛點和難點，積極推進產業化技術研發和積累，取得了一系列成果，形成了碳化硅長晶裝備和晶體生長自主可控的技術體系。8吋碳化硅單晶研制成功是科友半導體在寬禁帶半導體領域取得的又一個重要里程碑，也將有助于增強我國在大尺寸碳化硅單晶襯底的國際競爭力，助力我國寬禁帶半導體產業的快速發展。隨著科友半導體電阻爐的規模化應用和碳化硅襯底的產業化推進，生產出質量更高、成本更低的8吋碳化硅單晶襯底指日可待。

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