半導體行業防等離子體腐蝕內襯材料
對于半導體設備的研制,部件所使用的材料是影響設備性能的關鍵因素。特別是對于晶圓制造過程中的刻蝕機和PECVD設備,等離子體通過物理作用和化學反應會對設備器件表面造成嚴重腐蝕,一方面縮短部件的使用壽命,降低設備的使用性能,另一方面腐蝕過程中產生的反應產物會出現揮發和脫落的現象,在工藝腔內產生雜質顆粒,影響腔室的潔凈度。
作為刻蝕腔體和腔體內部件的防護材料主要有:
高純Al2O3涂層
石英材料
SiC材料
陽極氧化鋁及高純Al2O3材料
Y2O3材料
單晶YAG以及Al2O3-YAG共晶復合材料
Si3N4材料
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